デバイス開発(パワー半導体)の求人情報の検索結果一覧

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<UIターン歓迎>【豊田・日進】電動車向けパワー半導体素子のデバイス開発(GaN)<セミコン>●

株式会社デンソー

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勤務地

愛知県豊田市西広瀬町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【三重県】半導体や半導体生産システム等の開発・設計<職種未経験可><セミコン>

株式会社デンソー

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勤務地

三重県桑名市多度町御衣野

最寄り駅

-

年収

550万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【熊本】半導体プロセス・デバイス開発 ※創業150年の麻生G/待遇充実/残業月15h

株式会社アソウ・アルファ

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勤務地

福岡県福岡市中央区天神

最寄り駅

天神駅

年収

400万円~699万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場/総合電機メーカー/年収〜1000万円

ミネベアミツミ株式会社

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勤務地

北海道千歳市泉沢

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【パワー半導体(IGBT/Diode/IC)製造エンジニア】◆年間休日131日◆三菱電機G#熊本

三菱電機株式会社

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勤務地

熊本県合志市御代志

最寄り駅

御代志駅

年収

450万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 総合電機メーカー, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【愛知県】アナログ・パワー半導体統合モジュールの企画・設計に必要なパワエレ機能強化<セミコン>

株式会社デンソー

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勤務地

愛知県刈谷市昭和町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, 半導体・IC(アナログ) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【愛知/刈谷市】車載アナログ・パワー半導体のデバイス・プロセス開発/フレックス<セミコン>●

株式会社デンソー

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勤務地

愛知県刈谷市昭和町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【三重県四日市】製造装置保守フィールドエンジニア★年間休日124日★完全週休2日(土日祝)

株式会社BOW

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勤務地

東京都多摩市落合

最寄り駅

小田急多摩センター駅

年収

450万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

人材紹介・職業紹介 人材派遣, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【厚木市】CMOSイメージセンサー開発支援エンジニア◇上流工程で技術を磨ける/プライム上場G

株式会社BREXA Technology

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勤務地

東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

600万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

学歴不問

【厚木市】CMOSセンサー向けレイアウト設計エンジニア(P&R)◇上流工程で技術を磨ける

株式会社BREXA Technology

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勤務地

東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

600万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

学歴不問

【大阪】半導体モジュールの設計・技術開発<独自開発の空調用パワー半導体>◆業界世界トップメーカー

ダイキン工業株式会社

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勤務地

大阪府大阪市北区梅田

最寄り駅

大阪梅田(阪神)駅

年収

600万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

家電・モバイル・ネットワーク機器・複写機・プリンタ 機能性化学(有機・高分子), 半導体・IC(メモリ) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【京都】オープンポジション/電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会社

Anjet Research Lab株式会社

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勤務地

京都府京都市下京区中堂寺粟田町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(メモリ)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【愛知県刈谷市】次世代頭脳ECUのはんだ冷熱寿命予測技術・プリント基板技術開発<モビエレ>

株式会社デンソー

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勤務地

愛知県刈谷市昭和町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア(中核候補)◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度

住友電工デバイス・イノベーション株式会社

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勤務地

神奈川県横浜市栄区金井町

最寄り駅

-

年収

450万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品, 評価・実験(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【山梨】GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト◆東証プライム上場住友電工G◆残業月平均20h程度

住友電工デバイス・イノベーション株式会社

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勤務地

神奈川県横浜市栄区金井町

最寄り駅

-

年収

450万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品, 評価・実験(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア(年休130日/事業拡大に伴う組織強化)

ローム株式会社

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勤務地

福岡県

最寄り駅

-

年収

500万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【東京】半導体モジュールの設計・技術開発<独自開発の空調用パワー半導体>◆業界世界トップメーカー

ダイキン工業株式会社

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勤務地

大阪府大阪市北区梅田

最寄り駅

大阪梅田(阪神)駅

年収

600万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

家電・モバイル・ネットワーク機器・複写機・プリンタ 機能性化学(有機・高分子), 半導体・IC(メモリ) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【千代田区】要素技術開発※最先端技術で開発中/日本の半導体を世界へ/半導体メーカー※駐在の可能性有

Rapidus株式会社

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勤務地

東京都千代田区麹町

最寄り駅

麹町駅

年収

600万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(メモリ)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【千歳】半導体デバイスエンジニア/政府と大手企業支援国家プロジェクト

Rapidus株式会社

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勤務地

東京都千代田区麹町

最寄り駅

麹町駅

年収

500万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

学歴不問

【京都/西院】新規半導体デバイスのフロントローディング研究開発※年休130日/プライム上場

ローム株式会社

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勤務地

京都府京都市右京区西院溝崎町

最寄り駅

-

年収

500万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【転勤無/年休125日】MEMS製品開発エンジニア◆仕様検討〜評価まで一貫開発/土日祝休み

YITOAマイクロテクノロジー株式会社

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勤務地

山梨県甲府市大里町

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【栃木/宇都宮】アナログ電気回路設計(電気自動車のバッテリー制御)◎エンジニア第一/プライム上場

株式会社アルプス技研

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勤務地

神奈川県横浜市西区みなとみらいクイーンズタワーC(18階)

最寄り駅

-

年収

400万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

人材派遣 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), アナログ(パワーエレクトロニクス) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【愛知/刈谷・額田郡】<車載×世界最先端>次世代パワー半導体モジュール開発<セミコン>

株式会社デンソー

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勤務地

愛知県刈谷市昭和町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【愛知/豊田】<全世界のクルマを変える>シミュレーションモデル開発(自動車用半導体)<セミコン>

株式会社デンソー

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勤務地

愛知県豊田市西広瀬町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, 製品企画・プロジェクトマネージャー(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【産業、新エネ用途向けパワーモジュールの製品設計、量産改善】◆在宅勤務可◆三菱電機G#福岡

三菱電機株式会社

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勤務地

福岡県福岡市西区今宿

最寄り駅

-

年収

450万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 総合電機メーカー, 品質保証(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

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