デバイス開発(パワー半導体)の求人情報の検索結果一覧

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【京都/西院】アプリケーションエンジニア(車載・産機向け)/年休130日

ローム株式会社

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勤務地

京都府京都市右京区西院溝崎町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, 自動車・自動車部品 デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【岐阜・中津川】品質保証(電子部品)◆管理職採用/電子部品や車載に関する知見歓迎!/年休126日

株式会社デンソーテン

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勤務地

岐阜県中津川市苗木

最寄り駅

-

年収

1000万円~

賞与

-

業種 / 職種

家電・モバイル・ネットワーク機器・複写機・プリンタ 自動車部品, 品質保証(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

<UIターン歓迎>【三重/桑名】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>●

株式会社デンソー

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勤務地

三重県

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

<UIターン歓迎>【愛知/豊田】電動車向けパワー半導体素子の開発(Si)<セミコン>●

株式会社デンソー

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勤務地

愛知県豊田市西広瀬町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【北海道千歳市】プロセス・デバイス設計開発◆プライム上場/総合電機メーカー/年収〜1000万円

ミネベアミツミ株式会社

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勤務地

北海道千歳市泉沢

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【宮城/リモート中心】光半導体パッケージ設計エンジニア◇東証プライム上場

デクセリアルズ株式会社

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勤務地

宮城県多賀城市桜木

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 石油化学, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【富山/魚津市】半導体結晶成長技術/デバイス・プロセス技術開発◆在宅可・フルフレックス◆年休127日

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社

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勤務地

富山県魚津市東山

最寄り駅

-

年収

550万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【福岡】光半導体のアプリケーションエンジニア(商品企画・評価等) ◆年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, 半導体 デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア(GaNパワー)/就業環境◎福利厚生充実

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【兵庫】<第二新卒歓迎>半導体エンジニア/オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【石川】未経験・第二新卒歓迎|パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生◎

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【福岡/豊前】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(半導体リレー)

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【兵庫】パワー半導体のアプリケーションエンジニア(商品企画・評価等)◆福利厚生充実/年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, 半導体 デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【石川】半導体エンジニア/オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【川崎】半導体開発のプロダクトマネジメント◆試作評価〜量産まで幅広い工程を経験/東芝Gの福利厚生

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【兵庫/揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア(SiC)※就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【三重県四日市】製造装置保守フィールドエンジニア★年間休日124日★完全週休2日(土日祝)

株式会社BOW

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勤務地

東京都多摩市落合

最寄り駅

小田急多摩センター駅

年収

450万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

人材紹介・職業紹介 人材派遣, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【東京】次世代半導体パッケージ向けインターポーザの配線設計、解析 ◇東証プライム上場グループ/在宅可

TOPPAN株式会社

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勤務地

東京都

最寄り駅

-

年収

450万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 機能性化学(有機・高分子), 半導体・IC(デジタル) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【静岡/吉田町】半導体パッケージ材料開発◇即戦力採用◎革新的な半導体パッケージ用新規材料開発に注力

富士フイルム株式会社

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東京都港区赤坂(次のビルを除く)

最寄り駅

赤坂(東京)駅

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

機能性化学(有機・高分子) 医療機器メーカー, デバイス開発(パワー半導体) 製品開発(有機)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【駐在/アメリカ】Modeling※最先端技術で開発中/日本の半導体を世界へ

Rapidus株式会社

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勤務地

東京都千代田区麹町

最寄り駅

麹町駅

年収

400万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, 製品企画・プロジェクトマネージャー(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【愛知/日進】電動車向けインバータ及び電源機器用パワー半導体モジュールの研究開発<ミライズ>

株式会社デンソー

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愛知県日進市米野木町

最寄り駅

米野木駅

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(機械) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【千代田区】要素技術開発※最先端技術で開発中/日本の半導体を世界へ/半導体メーカー※駐在の可能性有

Rapidus株式会社

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勤務地

東京都千代田区麹町

最寄り駅

麹町駅

年収

600万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(メモリ)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【京都/転勤無】パワー半導体の設計開発 <量産化の成長フェーズ>国内外のスペシャリストと協業

Anjet Research Lab株式会社

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勤務地

京都府京都市西京区御陵大原

最寄り駅

-

年収

700万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(メモリ)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【北海道:ポジションサーチ】半導体エンジニア※東証プライム/業績好調の半導体事業部/残業10h程度

ミネベアミツミ株式会社

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勤務地

北海道千歳市泉沢

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

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