デバイス開発(パワー半導体)の求人情報の検索結果一覧

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【北海道:ポジションサーチ】半導体エンジニア※東証プライム/業績好調の半導体事業部/残業10h程度

ミネベアミツミ株式会社

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勤務地

北海道千歳市泉沢

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【横浜】オープンポジション/機電エンジニア〜第二新卒歓迎◎業界注目のパワー半導体製造に携われる〜

株式会社ニューフレアテクノロジー

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勤務地

神奈川県横浜市磯子区新杉田町

最寄り駅

新杉田駅

年収

550万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, 半導体製造装置 デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【山梨/未経験歓迎】半導体プロセスエンジニア※年休120日/完全週休二日制(土日祝)

株式会社カズプランニング

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勤務地

東京都町田市玉川学園

最寄り駅

玉川学園前駅

年収

450万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【福岡/豊前】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(半導体リレー、小信号デバイス)

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

福岡県

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【栃木県/芳賀郡】パワエレ領域設計・開発業務※所定労働7h/転勤無/上流工程でキャリアアップ

株式会社ヒップ

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勤務地

神奈川県横浜市西区楠町

最寄り駅

-

年収

550万円~649万円

賞与

-

業種 / 職種

人材派遣 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), 機械・電子部品・コネクタ デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【川崎】半導体のアプリケーションエンジニア◆福利厚生充実/独自の技術者教育講座あり

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, 半導体 デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【石川】半導体の製品開発エンジニア(パワーデバイス)就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

石川県能美市岩内町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, 半導体・IC(アナログ) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【兵庫/揖保郡】化合物半導体の製品開発・プロセス開発エンジニア(SiC)※就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

兵庫県揖保郡太子町鵤

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【岩手県金ヶ崎町】自動車用半導体(ASIC)製品のウエハプロセス開発<先デバ>

株式会社デンソー

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勤務地

岩手県胆沢郡金ケ崎町西根

最寄り駅

金ケ崎駅

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 自動車部品, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【宮城/リモート中心】光半導体パッケージ設計エンジニア◇東証プライム上場

デクセリアルズ株式会社

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勤務地

宮城県多賀城市桜木

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 石油化学, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【東京】研究開発(次世代半導体/SiC・GaN)◆積極投資中の注力事業/プライム上場/業績堅調に推移

富士電機株式会社

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勤務地

東京都日野市富士町

最寄り駅

-

年収

600万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) プラントメーカー・プラントエンジニアリング, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【秦野】研究開発(プラズマ評価、計測、およびプラズマと関連する材料開発など)/世界的半導体系メーカー

クアーズテック合同会社

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勤務地

東京都品川区大崎(次のビルを除く)

最寄り駅

大崎駅

年収

550万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

機能性化学(無機・ガラス・カーボン・セラミック・セメント・窯業), 評価・実験(機械) デバイス開発(パワー半導体) 基礎・応用研究(ガラス・セラミック) 製品開発(ガラス・セラミック)

応募対象

<最終学歴>大学院卒以上

【京都/西院】新規半導体デバイスのフロントローディング研究開発※年休130日/プライム上場

ローム株式会社

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勤務地

京都府京都市右京区西院溝崎町

最寄り駅

-

年収

500万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【厚木市】CMOSイメージセンサー開発支援エンジニア◇上流工程で技術を磨ける/プライム上場G

株式会社BREXA Technology

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勤務地

東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

600万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

学歴不問

【厚木市】CMOSセンサー向けレイアウト設計エンジニア(P&R)◇上流工程で技術を磨ける

株式会社BREXA Technology

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勤務地

東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

600万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

学歴不問

【愛知・豊田】解析・評価・技術開発(電動車向けインバータ/パワー半導体)<ミライズ>

株式会社デンソー

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勤務地

愛知県豊田市西広瀬町

最寄り駅

-

年収

550万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 自動車部品, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【千歳】半導体デバイスエンジニア/政府と大手企業支援国家プロジェクト

Rapidus株式会社

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勤務地

東京都千代田区麹町

最寄り駅

麹町駅

年収

500万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

学歴不問

【開発ポジションサーチ/エレキ】世界トップシェアサムスンG/年収20%前後UP/福利厚生充実

株式会社サムスン日本研究所

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勤務地

神奈川県横浜市鶴見区菅沢町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品, アナログ(パワーエレクトロニクス) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【石川】未経験・第二新卒歓迎|パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生◎

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

石川県能美市岩内町

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【兵庫】<第二新卒歓迎>半導体エンジニア/オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

兵庫県揖保郡太子町鵤

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【福岡/豊前】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(半導体リレー)

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

福岡県

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【東京都中央区】FCBGA用グラスコア開発エンジニア◆LGグループ

LGイノテック株式会社

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勤務地

東京都中央区京橋

最寄り駅

京橋(東京)駅

年収

700万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

学歴不問

【山形県鶴岡市】半導体 デバイス技術開発※英語力を活かす/丁寧な研修体制◎生涯を託せる技術力〜

株式会社マイスターエンジニアリング

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勤務地

山形県鶴岡市宝田

最寄り駅

-

年収

400万円~599万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

学歴不問

東京/要素技術開発(次世代車載インバータの研究開発)◇安定性◎東証プライム上場・大手総合電機メーカー

富士電機株式会社

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勤務地

東京都日野市富士町

最寄り駅

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年収

600万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) プラントメーカー・プラントエンジニアリング, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【滋賀/野洲】成膜プロセスのガス材料開発◆半導体・薄膜デバイスCVD・ALDプロセス/プライム上場

株式会社村田製作所

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勤務地

滋賀県野洲市大篠原

最寄り駅

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年収

500万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程) 製品開発(有機) 製品開発(その他無機)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

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