デバイス開発(パワー半導体)の求人情報の検索結果一覧

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【厚木】次世代HMI部品・電磁アクチュエータ設計開発◆プライム上場/総合電機メーカー/フレックス制

ミネベアミツミ株式会社

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勤務地

神奈川県厚木市酒井

最寄り駅

-

年収

500万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, 機械・電子部品・コネクタ デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【福岡】光半導体のアプリケーションエンジニア(商品企画・評価等) ◆年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, 半導体 デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア(GaNパワー)/就業環境◎福利厚生充実

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【兵庫】<第二新卒歓迎>半導体エンジニア/オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【石川】未経験・第二新卒歓迎|パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生◎

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【福岡/豊前】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(半導体リレー)

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【愛知/豊田】<半導体の研究機関>研究開発(デバイス・プロセス/パワー半導体)/在宅可<ミライズ>

株式会社デンソー

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勤務地

愛知県豊田市西広瀬町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【日進】電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体材料・デバイス・プロセス研究<ミライズ>

株式会社デンソー

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愛知県日進市米野木町

最寄り駅

米野木駅

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(機械) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【転勤無/年休125日】MEMS製品開発エンジニア◆仕様検討〜評価まで一貫開発/土日祝休み

YITOAマイクロテクノロジー株式会社

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勤務地

山梨県甲府市大里町

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【開発ポジションサーチ/エレキ】世界トップシェアサムスンG/年収20%前後UP/福利厚生充実

株式会社サムスン日本研究所

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神奈川県横浜市鶴見区菅沢町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品, アナログ(パワーエレクトロニクス) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【京都】研究開発◆5G・IoT支える薄膜メーカー/年休120日/賞与5か月/残業20h程

進工業株式会社

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勤務地

京都府京都市下京区長刀鉾町

最寄り駅

烏丸駅

年収

450万円~699万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【横浜】光半導体デバイス開発(車載エクステリア向けLED/パッケージ設計)◆東証プライム上場◆

スタンレー電気株式会社

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勤務地

東京都目黒区中目黒

最寄り駅

-

年収

450万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 自動車部品, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【千歳】半導体デバイスエンジニア/政府と大手企業支援国家プロジェクト

Rapidus株式会社

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勤務地

東京都千代田区麹町

最寄り駅

麹町駅

年収

500万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

学歴不問

【愛知/刈谷市】車載アナログ・パワー半導体のデバイス・プロセス開発/フレックス<セミコン>●

株式会社デンソー

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愛知県刈谷市昭和町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【ひたちなか市】半導体デバイス開発◆プライム上場/MCU・車載半導体の世界シェア高#20026067

ルネサス エレクトロニクス株式会社

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茨城県ひたちなか市堀口

最寄り駅

-

年収

550万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【厚木】生産技術(半導体デバイスにおけるウエハプロセス設計)※東証プライム/グローバル計測器メーカー

アンリツ株式会社

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勤務地

神奈川県厚木市恩名

最寄り駅

-

年収

550万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【駐在/アメリカ】Modeling※最先端技術で開発中/日本の半導体を世界へ

Rapidus株式会社

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勤務地

東京都千代田区麹町

最寄り駅

麹町駅

年収

400万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, 製品企画・プロジェクトマネージャー(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【大阪/東淀川】半導体開発エンジニア(ウェハー・パッケージ)年休127日/スタンダード上場

株式会社三社電機製作所

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大阪府大阪市東淀川区西淡路

最寄り駅

-

年収

500万円~699万円

賞与

-

業種 / 職種

機械部品・金型 半導体, 半導体・IC(アナログ) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【京都】デバイス開発設計(次世代SiC・GaNパワー半導体)ポテンシャル採用|年休124日

Anjet Research Lab株式会社

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京都府京都市下京区中堂寺粟田町

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(メモリ)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【厚木】光通信/光センシングデバイス開発  ※東証プライム/世界シェアトップクラスの計測器メーカー

アンリツ株式会社

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神奈川県厚木市恩名

最寄り駅

-

年収

550万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【岐阜・中津川】品質保証(電子部品)◆管理職採用/電動化を支える中核ポジション/年休126日/

株式会社デンソーテン

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岐阜県中津川市苗木

最寄り駅

-

年収

1000万円~

賞与

-

業種 / 職種

家電・モバイル・ネットワーク機器・複写機・プリンタ 自動車部品, 品質保証(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【神奈川/新幹線通勤可】ナノインプリント材料開発(半導体材料事業)◇週2日在宅可・フレックス制◎

富士フイルム株式会社

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東京都港区赤坂(次のビルを除く)

最寄り駅

赤坂(東京)駅

年収

700万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

機能性化学(有機・高分子) 医療機器メーカー, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体) 製品開発(有機) 製品開発(高分子)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【厚木市】CMOSイメージセンサー開発支援エンジニア◇上流工程で技術を磨ける/プライム上場G

株式会社BREXA Technology

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東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

600万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

学歴不問

【静岡・吉田町or神奈川・足柄】半導体材料開発(EUVやArFレジストなどリソグラフィー関連材料)

富士フイルム株式会社

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東京都港区赤坂(次のビルを除く)

最寄り駅

赤坂(東京)駅

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

機能性化学(有機・高分子) 医療機器メーカー, デバイス開発(パワー半導体) 製品開発(有機)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

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