デバイス開発(パワー半導体)の求人情報の検索結果一覧

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【北海道千歳市】半導体製造の試作エンジニア◆年収〜800万/半導体製造プロセスもしくはデバイス知見要

株式会社アウトソーシングテクノロジー

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勤務地

東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

450万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

学歴不問

【熊本】LSI設計エンジニア※東証プライム上場G/残業20H以下/常時1,000案件稼働・最先端技術

株式会社テクノプロ

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勤務地

東京都港区六本木六本木ヒルズ森タワー(35階)

最寄り駅

-

年収

350万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(メモリ)

応募対象

学歴不問

【京都/転勤無】パワー半導体の評価・解析◇量産化の成長フェーズに関わる◎業界最先端の技術開発

Anjet Research Lab株式会社

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勤務地

京都府京都市西京区御陵大原

最寄り駅

-

年収

700万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, 評価・実験(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【開発ポジションサーチ/エレキ】世界トップシェアサムスンG/年収20%前後UP/福利厚生充実

株式会社サムスン日本研究所

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勤務地

神奈川県横浜市鶴見区菅沢町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品, アナログ(パワーエレクトロニクス) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【東京・赤羽/未経験歓迎】接合・CAMPエンジニア ※受託開発・加工シェアトップクラス/転勤なし

株式会社D−process

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勤務地

東京都北区浮間

最寄り駅

浮間舟渡駅

年収

350万円~649万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体 受託加工業(各種加工・表面処理), デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【滋賀/野洲】半導体デバイスのプロセス開発◆世界を舞台に活躍する電子部品メーカー◆

株式会社村田製作所

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勤務地

滋賀県野洲市大篠原

最寄り駅

-

年収

500万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【滋賀/野洲】薄膜材料開発◆半導体成膜CVD・ALDプロセス・材料の開発/プライム上場

株式会社村田製作所

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勤務地

滋賀県野洲市大篠原

最寄り駅

-

年収

500万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【栃木/下野】半導体パッケージ材料の開発(新規事業創出につながる開発に携わる)◇高い技術とノウハウ◎

デクセリアルズ株式会社

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勤務地

栃木県下野市下坪山

最寄り駅

-

年収

600万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 石油化学, デバイス開発(パワー半導体) 製品開発(高分子) 製造プロセス開発・工法開発(配合設計品)(塗料・接着剤など)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

福岡県

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【川崎】半導体エンジニア/オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

兵庫県揖保郡太子町鵤

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【川崎】半導体製品のプロダクトマネジメント◇設計・開発経験者歓迎/年休127日/リモート可

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デジタル(マイコン・CPU・DSP) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【兵庫】第二新卒歓迎|化合物半導体のプロセス開発エンジニア(GaN/SiC)◆研修・福利厚生◎

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

兵庫県揖保郡太子町鵤

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【石川】半導体エンジニア/オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

石川県能美市岩内町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【兵庫】<第二新卒歓迎>半導体エンジニア/オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

兵庫県揖保郡太子町鵤

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【石川】未経験・第二新卒歓迎|パワー半導体デバイス設計・プロセスインテグレーション◆研修・福利厚生◎

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

石川県能美市岩内町

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【関東】半導体エンジニア※面接1回◆家賃補助有り/平均残業20H以内/案件の9割が大手上場メーカー

株式会社リクル

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勤務地

東京都中央区銀座

最寄り駅

銀座駅

年収

400万円~649万円

賞与

-

業種 / 職種

人材派遣, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【北海道:ポジションサーチ】半導体エンジニア※東証プライム/業績好調の半導体事業部/残業10h程度

ミネベアミツミ株式会社

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北海道千歳市泉沢

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【東京/リモート可/第二新卒も歓迎】研究開発エンジニア(絶縁技術)◆年間休128日・就労環境良好◎

富士電機株式会社

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勤務地

東京都日野市富士町

最寄り駅

-

年収

550万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) プラントメーカー・プラントエンジニアリング, デバイス開発(パワー半導体) 製品開発(高分子)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【横浜】ハイパワー用LEDのパッケージ設計・開発(材料選定〜量産立ち上げ)◇フレックスタイム制#ED

スタンレー電気株式会社

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勤務地

神奈川県横浜市青葉区荏田西

最寄り駅

-

年収

400万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 自動車部品, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【博多】パワー半導体パッケージ製品開発PM(リーダー・マネージャークラス)◆世界トップ級シェア

株式会社アムコー・テクノロジー・ジャパン(旧ジェイデバイス)

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勤務地

福井県坂井市春江町大牧

最寄り駅

-

年収

500万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 半導体, 製品企画・プロジェクトマネージャー(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【未経験歓迎】【神奈川県鎌倉市】半導体の設計開発業務〜大手メーカー案件多数/残業少〜

ブライザ株式会社

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神奈川県横浜市中区相生町

最寄り駅

-

年収

350万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

人材派遣 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【栃木/宇都宮】アナログ電気回路設計(電気自動車のバッテリー制御)◎エンジニア第一/プライム上場

株式会社アルプス技研

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勤務地

神奈川県横浜市西区みなとみらいクイーンズタワーC(18階)

最寄り駅

-

年収

400万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

人材派遣 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), アナログ(パワーエレクトロニクス) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【山梨/未経験歓迎】半導体プロセスエンジニア※年休120日/完全週休二日制(土日祝)

株式会社カズプランニング

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勤務地

東京都町田市玉川学園

最寄り駅

玉川学園前駅

年収

450万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【福岡/豊前】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(半導体リレー、小信号デバイス)

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

福岡県

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

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