デバイス開発(パワー半導体)の求人情報の検索結果一覧

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【宮城】LED照明およびIoT製品の電源設計 ※充実の福利厚生・研修制度/年間休日124日

株式会社メイテック

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勤務地

神奈川県厚木市森の里青山

最寄り駅

-

年収

550万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【大阪/東淀川】半導体開発エンジニア(ウェハー・パッケージ)年休127日/スタンダード上場

株式会社三社電機製作所

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勤務地

大阪府大阪市東淀川区西淡路

最寄り駅

-

年収

500万円~699万円

賞与

-

業種 / 職種

機械部品・金型 半導体, 半導体・IC(アナログ) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【福岡・今宿】パワーデバイスの製品評価 ※三菱電機のエンジニアリング部門/福利厚生充実

メルコセミコンダクタエンジニアリング株式会社

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勤務地

福岡県福岡市西区今宿

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, 評価・実験(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【福岡・今宿】パワーデバイス駆動用ICのテスト ※三菱電機のエンジニアリング部門/福利厚生充実

メルコセミコンダクタエンジニアリング株式会社

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勤務地

福岡県福岡市西区今宿

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, 評価・実験(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【愛知県長久手市】先端パワーデバイスに関する研究 ◆トヨタグループ/WEB面接可/年間休日121日

株式会社豊田中央研究所

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勤務地

愛知県長久手市横道

最寄り駅

長久手古戦場駅

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

自動車(四輪・二輪) シンクタンク, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院卒以上

【福島】開発エンジニア◆半導体製造に必須な「石英ガラス」の国内NO.1メーカー/信越化学グループ

信越石英株式会社

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勤務地

福島県郡山市田村町金屋

最寄り駅

-

年収

450万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【川崎】化合物半導体の製品開発エンジニア(GaNパワー)/就業環境◎福利厚生充実

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区堀川町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【福岡】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

福岡県

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【川崎】半導体エンジニア/オープンポジション◆就業環境◎需要増加中のパワー半導体

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

神奈川県川崎市幸区小向東芝町

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア ※就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

兵庫県揖保郡太子町鵤

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) 製造プロセス開発・工法開発(半導体・太陽光・液晶・LEDなど)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【兵庫/揖保郡】化合物半導体の製品開発エンジニア(SiC)※就業環境◎年休127日

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

兵庫県揖保郡太子町鵤

最寄り駅

-

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【兵庫】第二新卒歓迎|化合物半導体のプロセス開発エンジニア(GaN/SiC)◆研修・福利厚生◎

東芝デバイス&ストレージ株式会社

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勤務地

兵庫県揖保郡太子町鵤

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【栃木県/芳賀郡】パワエレ領域設計・開発業務※所定労働7h/転勤無/上流工程でキャリアアップ

株式会社ヒップ

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勤務地

神奈川県横浜市西区楠町

最寄り駅

-

年収

550万円~649万円

賞与

-

業種 / 職種

人材派遣 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), 機械・電子部品・コネクタ デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【北海道千歳市】半導体製造の試作エンジニア◆年収〜800万/半導体製造プロセスもしくはデバイス知見要

株式会社BREXA Technology

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勤務地

東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

450万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

学歴不問

【北海道千歳市/経験者】半導体製造に関する試作エンジニア◆福利厚生・バックアップ体制◎でスキルUP可

株式会社BREXA Technology

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勤務地

東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

400万円~699万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

学歴不問

【北海道千歳市】半導体製造の試作エンジニアリーダー◆年収〜880万/家族手当や福利厚生充実◎

株式会社BREXA Technology

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勤務地

東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

550万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

学歴不問

【京都/転勤無】パワー半導体の評価・解析◇スペシャリスト集団/量産化に向けた成長フェーズに関われる◎

Anjet Research Lab株式会社

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勤務地

京都府京都市西京区御陵大原

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, 評価・実験(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【開発ポジションサーチ/エレキ】世界トップシェアサムスンG/年収20%前後UP/福利厚生充実

株式会社サムスン日本研究所

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神奈川県横浜市鶴見区菅沢町

最寄り駅

-

年収

600万円~1000万円

賞与

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業種 / 職種

電子部品, アナログ(パワーエレクトロニクス) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【横浜】ビームブランキングシステム開発(マネジメント候補)〜世界シェア90%超メーカー〜/主任

株式会社ニューフレアテクノロジー

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勤務地

神奈川県横浜市磯子区新杉田町

最寄り駅

新杉田駅

年収

700万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, 半導体・IC(デジタル) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【横浜】ビームブランキングシステム開発(マネジメント候補)〜世界シェア90%超メーカー〜/管理職

株式会社ニューフレアテクノロジー

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神奈川県横浜市磯子区新杉田町

最寄り駅

新杉田駅

年収

1000万円~

賞与

-

業種 / 職種

産業用装置(工作機械・半導体製造装置・ロボットなど) 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, 半導体・IC(デジタル) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【福岡/筑後】SiCデバイス開発エンジニア(年休130日/事業拡大に伴う組織強化)

ローム株式会社

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福岡県

最寄り駅

-

年収

500万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(パワー半導体) プロセスインテグレーション

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【大分】半導体の製品開発・量産◆大手クライアントの開発に携わる/月平均残業20時間程度/年休120日

セントランス株式会社

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東京都港区海岸(3丁目)

最寄り駅

芝浦ふ頭駅

年収

300万円~499万円

賞与

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業種 / 職種

技術系アウトソーシング(特定技術者派遣) アウトソーシング, 評価・実験(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【京都/小浜】研究開発◆5G・IoT支える薄膜メーカー/年休120日/賞与5か月

進工業株式会社

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福井県小浜市野代

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

【京都/在宅可】試作開発・量産化(テスト開発業務および製品評価・量産化)◆業界トップ級の技術力

ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社

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京都府長岡京市神足

最寄り駅

長岡京駅

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品, 評価・実験(電気・電子・半導体) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【栃木/宇都宮】アナログ電気回路設計(電気自動車のバッテリー制御)◎エンジニア第一/プライム上場

株式会社アルプス技研

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勤務地

神奈川県横浜市西区みなとみらいクイーンズタワーC(18階)

最寄り駅

-

年収

400万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

人材派遣 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), アナログ(パワーエレクトロニクス) デバイス開発(パワー半導体)

応募対象

学歴不問

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