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半導体
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【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会社

【京都】オープンポジション／電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる『パワー半導体』の設計会社Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社

正社員年収500万円~技術職（機械・電気）完全週休2日制年間休日120日以上土日祝休み原則定時退社転勤なし（勤務地限定）第二新卒歓迎

情報提供元

募集

仕事内容

〜国内外からの出資企業多数！量産化フェーズの成長期に関われる◎SiC、GaN などのパワーデバイスの開発を行うファブレスの設計企業〜 ■事業ミッションこれまで高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指し、R＆Dとして世界のファウンドリメーカーと協業・推移してきました。順調に資金調達・顧客開拓が進んだため、これまで積み上げてきたSiCパワー半導体デバイスの商品化（量産化）に向けて始動しています。今回の募集は量産化に向けた人員強化になります。 ■募集ポジション・デバイスエンジニア…デバイスの設計・テストエンジニア…デバイスの電気的特性のテスト・プロセスインテグレーションエンジニア…各製造プロセスを統合して、効率的で高品質な製造プロセスを構築・信頼性エンジニア…製造された半導体製品の長期的な信頼性の検証・プロジェクトマネージャー…プロジェクト全体を管理 ※複数名の増員募集のためご経験に合わせて、ご活躍できる職種をご相談させていただきます。 ■配属先情報大手半導体メーカー（TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム）等で10〜30年以上の経験を持つスペシャリストが在籍しています。 ■製品について Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) 大手海外自動車メーカーのEVやEV充電スタンドに使用されています。 ■独自性・優位性パワー半導体の研究開発を進める大手メーカーでは、材料開発⇒設計⇒製造など自社一貫型で行うことが一般的であり、開発から製品が出来るまでかなりの時間を要します。当社では世界中のファウンドリーメーカーのエンジニアと協業することで、スピーディなプロセスインテグレーションを進めています。また、SiCに強いファウンダリーが少ない中でこれまでにない半導体を生み出す最先端の研究開発を進めています。 ■当社のこれから 2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。 ■給与形態・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み変更の範囲：会社の定める業務

働き方

勤務地

＜勤務地詳細＞本社住所：京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203・2208号室勤務地最寄駅：JR東海道本／阪急電鉄阪急京都線／桂川／桂駅受動喫煙対策：敷地内喫煙可能場所あり変更の範囲：会社の定める事業所

雇用形態

正社員

給与

＜予定年収＞ 500万円〜1,000万円＜賃金形態＞年俸制＜賃金内訳＞年額（基本給）：5,000,000円〜10,000,000円その他固定手当/月：5,000円＜月額＞ 421,666円〜838,333円（12分割）＜昇給有無＞有＜残業手当＞無＜給与補足＞ ※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

勤務時間

＜労働時間区分＞専門業務型裁量労働制みなし労働時間/日：8時間00分休憩時間：60分時間外労働有無：無＜標準的な勤務時間帯＞ 9:00〜18:00

休日

完全週休2日制（休日は土日祝日）年間有給休暇10日〜20日（下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります）年間休日日数122日年末年始休暇

特徴

完全週休2日制年間休日120日以上土日祝休み原則定時退社転勤なし（勤務地限定）第二新卒歓迎女性活躍固定給25万円以上固定給35万円以上

待遇・福利厚生

通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険＜各手当・制度補足＞通勤手当：上限2万円社会保険：補足事項なし＜定年＞ 65歳＜教育制度・資格補助補足＞なし＜その他補足＞ ■転職に伴う引越し費用負担（規定あり） ■服装自由 ■ストックオプション ■従業員専用駐車場あり【その他】・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み・昇給については成果・実績に応じて配分あり

選考について

対象となる方

■必須条件：・パワー半導体デバイスの設計、開発、製造に関して何かしらの経験がある方（例）パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験、ファンドリーでのデバイス試作経験等 ※SiC・GaNなどの化合物半導体のご経験者歓迎ですが、Siのご経験者もご応募ください ■歓迎条件：・デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験・パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験＜語学補足＞【あれば尚可】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方

会社概要

会社名

Ａｎｊｅｔ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｌａｂ株式会社

所在地

京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室

事業内容

■事業内容：ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｓｉなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、アプリケーションに最適な各種パワーデバイス（Si, SiC, GaN etc.）の設計を目指します。

従業員数

8名

資本金

70百万円

企業URL

http://anjet.com/ja-jp/

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