デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)の求人情報の検索結果一覧

62 

【横浜】デバイス設計・技術開発<小型RGBレーザー搭載光源モジュール>◆半導体レーザー・光学知見歓迎

京セラ株式会社

careerindex-logo
勤務地

神奈川県横浜市緑区中山

最寄り駅

-

年収

550万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

通信キャリア・ISP・データセンター 金属・製綱・鉱業・非鉄金属, 基礎研究・先行開発・要素技術開発(機械) 基礎研究・先行開発・要素技術開発(電気) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、高等専門学校卒以上

【東京・NY】PDK開発(2nmのLSIを設計)※駐在の可能性あり/最先端技術/フルフレックス

Rapidus株式会社

careerindex-logo
勤務地

東京都千代田区麹町

最寄り駅

麹町駅

年収

600万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

学歴不問

【東京・NY】SPICEモデリング※駐在の可能性あり/最先端技術/フルフレックス

Rapidus株式会社

careerindex-logo
勤務地

東京都千代田区麹町

最寄り駅

麹町駅

年収

600万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体, デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体) デバイス開発(その他半導体)

応募対象

学歴不問

【秋田市】化合物半導体の研究開発(プロセスエンジニア)◇非鉄大手DOWAのグループ会社/転勤なし

DOWAセミコンダクター秋田株式会社

careerindex-logo
勤務地

秋田県秋田市飯島

最寄り駅

-

年収

500万円~799万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 金属・製綱・鉱業・非鉄金属, デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【埼玉】光学薄膜技術開発 ※東証プライム/フレックス/カメラレンズ世界シェア約4割

株式会社タムロン

careerindex-logo
勤務地

埼玉県さいたま市見沼区蓮沼

最寄り駅

-

年収

550万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 計測機器・光学機器・精密機器・分析機器, 光学設計 デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体) 基礎・応用研究(ガラス・セラミック) 基礎・応用研究(その他無機)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【秋田市】化合物半導体の研究開発(LED電極形成)◇東証プライム上場/非鉄金属業界大手

DOWAホールディングス株式会社

careerindex-logo
勤務地

秋田県秋田市飯島

最寄り駅

-

年収

600万円~899万円

賞与

-

業種 / 職種

金属・製綱・鉱業・非鉄金属, デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体) プロセスエンジニア(前工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

【京都・宇治】センサ部品の製品開発(回路設計経験者)/世界トップシェア/教育体制充実※転勤なし

コーデンシ株式会社

careerindex-logo
勤務地

京都府宇治市槇島町

最寄り駅

-

年収

400万円~649万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 半導体, 半導体・IC(アナログ) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【厚木】半導体ウェハ・CMOSイメージセンサのデバイス開発 ※住宅手当など福利厚生◎/充実の教育体制

株式会社BREXA Technology

careerindex-logo
勤務地

東京都千代田区丸の内(次のビルを除く)

最寄り駅

東京駅

年収

400万円~649万円

賞与

-

業種 / 職種

システムインテグレータ 技術系アウトソーシング(特定技術者派遣), デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

学歴不問

【乃木坂/未経験歓迎】LEDテープライトの不良解析・開発・改良※在宅週2日可能/出張・呼び出しなし

株式会社ネオ・ストラクト

careerindex-logo
勤務地

東京都港区赤坂(次のビルを除く)

最寄り駅

赤坂(東京)駅

年収

350万円~499万円

賞与

-

業種 / 職種

その他メーカー その他電気・電子・機械, 品質保証(電気・電子・半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、短期大学、専修・各種学校、高等専門学校、高等学校卒以上

【宮城】半導体後工程(CMOSイメージセンサー組立)エンジニア ※総合商社/兼松100%出資

兼松フューチャーテックソリューションズ株式会社

doda-logo
勤務地

宮城県黒川郡大和町松坂平

最寄り駅

-

年収

350万円~649万円

賞与

-

業種 / 職種

半導体 電子部品, デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体) プロセスエンジニア(後工程)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学、専修・各種学校、高等専門学校卒以上

【滋賀/草津市】赤色LEDの研究開発〜ARやVRでの実用化へ向けてベンチャー立ち上げ予定/藤原研究室

学校法人立命館

doda-logo
勤務地

滋賀県草津市野路

最寄り駅

南草津駅

年収

500万円~1000万円

賞与

-

業種 / 職種

その他・各種スクール, デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体) デバイス開発(太陽光・液晶など)

応募対象

学歴不問

【横浜】ハイパワー用LEDのパッケージ設計・開発(材料選定〜量産立ち上げ)◇フレックスタイム制#ED

スタンレー電気株式会社

doda-logo
勤務地

神奈川県横浜市青葉区荏田西

最寄り駅

-

年収

400万円~999万円

賞与

-

業種 / 職種

電子部品 自動車部品, デバイス開発(パワー半導体) デバイス開発(LED・発光デバイス・光半導体)

応募対象

<最終学歴>大学院、大学卒以上

特徴から探す