【職務内容】 光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術について、特にMOCVD装置を中心としたエピタキシャル成長設備の維持管理・改善活動を担当いただきます。 ■業務内容例 ・MOCVD装置の状態管理、定期メンテナンス、トラブル対応 ・成長装置（反応炉、シャワーヘッド、マニホールド）のクリーニング・再組立 ・ガス供給システム（TMGa、TMIn、AsH₃、PH₃等）の設備管理 ・AsH₃／PH₃トラップ、除外装置、排気スクラバーの点検・交換 ・設備の異常監視、改善提案やパーツ寿命管理（予防保全） ・安全運転のための手順見直し、教育資料の作成 ・設備メーカーとの調整・改良に向けた仕様検討 ・設備管理の視点からエピタキシャル成長条件の高効率化に向けた改善提案 将来的には装置リーダーとして複数ラインの管理・後輩指導。

●職務内容 光通信や無線通信用の半導体の生産を支援するためのシステム開発・保守・運用業務 ≪具体的には≫ 生産関連システム（工程管理、情報検索系）の担当として、システム開発・保守・運用の全体管理（生産プロセスの効率化や品質向上を目指すためのシステムの革新や最適化も含む） ・システム開発プロセス上流工程（要件定義、導入判定を行い、対要求部門との調整）の実施 ・DX推進業務として、新技術の導入やプロセスの最適化 ・業務委託先ベンダーとの調整・管理を担当（システム設計やテスト内容の監督） ・システム安定稼働を確保するための運用プロセスの監督

●職務内容 ドライエッチング技術に関するウエハプロセス業務 ≪具体的には≫ （概要） 新規プロセス開発、新規設備の選定/導入/立上げ、生産性改善/不具合改善等の量産対応業務 （仕事内容の特徴） ①担当工程は、ウエハプロセスにおけるドライエッチング工程で化合物半導体製造プロセスにおいて製品の特性に大きく影響する重要な工程となっている。 ②エッチング対象物は絶縁膜や金属材料、化合物半導体基板(GaAs, GaN, InP, SiC, Si)とさまざまであり、当所で製造しているデバイス全般のドライエッチング技術開発に携わることになる。製品開発段階から製造プロセス決定に大きく関与し、プロセスの立上げを実施する上ではドライエッチング工程のみならず、前後の工程やデバイス構造を把握したうえでの検討も必要となり、課内や関係部署との連携も重要となる。 ③設計部門の試作対応や開発要求、製造トラブル、工程能力増強などの外部からの対応に終始することはなく、将来を見据えた自主的なプロセス開発を積極的に実施することも求められ、場面に応じた対応力、行動力のある人材が求められる。 ④常に新しい事に対して積極的に挑戦する姿勢、関係部署との高い連携力、最新の技術動向を効果的に利用する応用力、といった力量は、これまでの業務経験を通して獲得された力量を存分に発揮できる、やりがいある業務である。また、不安要素の一つ、担当工程の専門的知識についてはOJT等にて習得可能である。

●職務内容 光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。 結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ≪具体的には≫ ■業務内容例 ● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長 　・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長 　・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整 　・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など） ● 薄膜の評価および解析 　・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など） 　・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化 　・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析 ● エピ成長条件の最適化と再現性向上 　・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など） 　・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討 　・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化 　・エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理 ● 新規材料／構造のプロセス開発 　・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発 　・新デバイス用途への新規材料展開 将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。