●職務内容 光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。 結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ≪具体的には≫ ■業務内容例 ● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長 　・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長 　・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整 　・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など） ● 薄膜の評価および解析 　・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など） 　・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化 　・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析 ● エピ成長条件の最適化と再現性向上 　・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など） 　・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討 　・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化 　・エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理 ● 新規材料／構造のプロセス開発 　・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発 　・新デバイス用途への新規材料展開 将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。