半導体研究開発(車載パワー半導体)株式会社デンソー
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募集
仕事内容
【業務内容】 パワーデバイス材料研究、デバイス開発 ・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタキシャル成長の研究開発 ・横型GaN-HEMTのデバイス開発 ・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導体研究開発 ・β酸化ガリウム半導体研究開発 ・ダイヤモンド半導体研究開発 【募集背景】 パワエレ第2開発部では、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。 ※株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズ(https://www.mirise-techs.com/)に出向いただきます。 ⇒当該求人募集は、出向先企業と協力をして実施しておりますので、採用活動実施のために下記提供先に個人情報を提供させていただくことに同意の上、ご応募ください。
指針理由
★売上世界2位!グローバル自動車部品メーカー! ★IoT技術に注力しMaaSに力をいれております! ★高年収!好待遇!福利厚生充実!
働き方
勤務地
先端技術研究所(愛知県日進市) 広瀬製作所(愛知県豊田市)
雇用形態
正社員
給与
500万円〜1200万円
勤務時間
<労働時間区分> フレックスタイム制 コアタイム:10:10~14:25 休憩時間:60分 時間外労働:有(平均25時間) <標準的な勤務時間帯> 8:40~17:40
休日
完全週休2日(土・日) GW 夏季 年末年始 等
特徴
待遇・福利厚生
<各手当・制度補足> ・通勤手当:※会社規定による ・家族手当:福利厚生その他欄参照 ・住宅手当:※会社規定による ・寮社宅:独身寮、社宅あり ・社会保険:補足事項なし ・退職金制度:補足事項なし
選考について
対象となる方
【必須】 下記、いずれかのご経験 ・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること(大学卒業レベル) ・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験(約3年) 【尚可】 ・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験 ・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験(5年以上) ・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験(5年以上) ★応募いただく場合、下記内容をアドバイザーに送付ください。 ・当社を志望する理由※300文字以内 ・希望職種(当社に入社した場合、活躍したい分野または従事したい業務、及びその理由)※300文字以内
会社概要
会社名
株式会社デンソー
所在地
愛知県刈谷市昭和町1-1
事業内容
〜世界トップレベル・国内最大手の自動車部品システムサプライヤー〜 ■事業内容: 自動車システム製品(空調関係、エンジン関係・各種制御関係等)およびITS関連製品(ETC、ナビゲーションシステム等)、産業機器製品、環境機器製品等の製造・販売 ■長期ビジョン: 同社は、2030年の目指す姿として「長期方針」を策定しています。従来から注力している「環境」「安心」の提供価値を最大化することに加え、新たに「共感」を掲げ、様々なステークホルダーに同社の取り組みを共感してもらい、それぞれの強みを掛け合わせることで生まれる新たな価値を、社会に提供していきたいと考えています。
従業員数
172,260名
資本金
187,500百万円
売上高
5,362,772百万円
平均年齢
44歳