【京都/転勤なし】パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善※業界最先端の技術開発/年休120日Anjet Research Lab株式会社
更新日: 2024/09/15 掲載予定期間: 2024/09/12 (木) ~ 2024/12/04 (水)
情報提供元
掲載予定期間: 2024/09/12 (木) ~ 2024/12/04 (水)
募集
仕事内容
〜★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業/電気自動車(EV)や再生可能エネルギーの普及によって需要が高まっている「パワー半導体」を扱っております!〜 ■採用背景: SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、製品仕様の決定のための信頼性評価技術・歩留まり向上技術の体制確立が急務の為、それに伴う人材の強化を進めています。 ■業務内容: 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けた、信頼性技術の確立・歩留まり改善をお任せします。 【変更の範囲:会社の定める業務】 ■配属先情報: 大手半導体メーカー(TI/ON Semiconductor/日立/三菱電機/ルネサス/ローム)等で20〜30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができます。 ■成長計画: パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。 ■当社について: ◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。 ◇高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇大学などの研究機関・提携企業との協力を進めることによって、当分野のリーディングカンパニーを目指しています。 ◇設立は2019年と浅いですが、京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。 ◇2022年からはGaN power devicesの開発もスタートしWide Band Gap材料による新機能素子の俯瞰的な商品展開を行っています。 変更の範囲:本文参照
働き方
勤務地
<勤務地詳細> 本社 住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり 変更の範囲:本文参照
雇用形態
正社員
給与
<予定年収> 700万円〜1,100万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本給):7,000,000円〜11,000,000円 <月額> 583,333円〜916,666円(12分割) <昇給有無> 有 <残業手当> 無 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。
勤務時間
<労働時間区分> 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日:8時間00分 休憩時間:60分 時間外労働有無:無 <標準的な勤務時間帯> 9:00〜18:00
休日
完全週休2日制(休日は土日祝日) 年間有給休暇10日〜20日(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります) 年間休日日数120日 年末年始休暇
特徴
完全週休2日制
年間休日120日以上
土日祝休み
原則定時退社
転勤なし(勤務地限定)
第二新卒歓迎
女性活躍
固定給25万円以上
固定給35万円以上
待遇・福利厚生
通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 <各手当・制度補足> 通勤手当:上限2万円 社会保険:補足事項なし <定年> 65歳 <教育制度・資格補助補足> なし <その他補足> ※転居費用負担 / 規定有 ※駐車場は有料(8,800円/月) 【その他】 ・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み ・昇給については成果・実績に応じて配分あり
応募条件
応募資格
■必須条件: 以下いずれかのご経験がある方 (1)パワー半導体デバイス(SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等)のチップ設計・開発の経験 (2)ファウウンドリーでのデバイス試作経験 (3)デバイスシミュレーター(Synopsis Sentaurusなど)の使用経験 (4)パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験 (5)半導体デバイスの信頼性評価技術の実務経験 <語学補足> 【必須】英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
会社概要
会社名
Anjet Research Lab株式会社
所在地
京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
事業内容
■事業内容: GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、 アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。
従業員数
8名
資本金
70百万円
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