【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）◆住友電工グループ◆残業月平均20h程度住友電工デバイス・イノベーション株式会社

〜大学または大学院での物理・物性／電気工学／電子工学／応用物理等の知識を活かせる／東証プライム上場住友電工グループ／土日祝休〜 ■業務概要 携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。 ■業務詳細 ・試作デバイスの特性評価（高周波特性、DC特性、信頼性）とフィードバック ・デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議 ・量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化 ・顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化 ■扱う技術領域 ・化合物半導体：GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等 ・デバイス構造：HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等 ・応用：ポスト5G基地局向けパワートランジスタ ■開発フロー（目安） 顧客／社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開 ■期待する役割・ミッション 入社後、教育体系と現場OJTを通じてGaN HEMTのデバイス設計・プロセス連携のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には部の中核エンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。基礎学問の素養をお持ちであれば、当社事業領域(化合物半導体・高周波デバイス)が未経験であっても問題ございません。 ■キャリアパス 当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。 変更の範囲：会社の定める業務

働き方

＜勤務地詳細＞ 山梨事業所 住所：山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 勤務地最寄駅：JR東海身延線／国母駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：会社の定める場所（リモートワーク含む）

正社員

＜予定年収＞ 450万円〜800万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）：280,000円〜400,000円 ＜月給＞ 280,000円〜400,000円 ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 有 ＜給与補足＞ ※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 ■賞与：年2回（6月・12月 ※2025年度実績　5.3ヶ月） ■昇給：年1回（6月） 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜労働時間区分＞ フレックスタイム制 コアタイム：11:00〜14:00 休憩時間：60分 時間外労働有無：有 ＜標準的な勤務時間帯＞ 8:30〜17:15

＜その他就業時間補足＞ 平均残業時間：月20時間程度

完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇20日〜20日（下限日数は、入社直後の付与日数となります） 年間休日日数122日 ・積立休暇／リフレッシュ休暇 ・特別休暇（慶弔休暇など）／計画有休制度（個人計画有休5日） ・半日有給休暇／時間単位有給休暇 ・年末年始休暇 ・産育休：産育休取得実績あり

通勤手当、家族手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：■実費支給（月400円のみ個人負担） 家族手当：■配偶者20,000円、他扶養親族4,500円／人 寮社宅：■転勤者のみ入居可※借り上げ社宅制度 社会保険：補足事項なし 退職金制度：■企業年金制度により、年金選択も可 ＜定年＞ 65歳 ＜育休取得実績＞ 有 ＜教育制度・資格補助補足＞ 社内育成プログラム、SEIグループ内教育プログラム、部門内教育プログラム、社外講習会・展示会・学会聴講の機会、資格取得支援 ＜その他補足＞ ・企業年金制度 ・持株会（住友電気工業株式会社） ・財形貯蓄制度（一般・住宅・年金） ・社員食堂：あり ・諸手当：通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当

選考について

■必須条件： 下記いずれか ・大学または大学院で物理・物性／電気工学／電子工学／応用物理等を専攻された方（社会人経験が同領域の開発以外、例えば品質保証・開発購買・異分野の開発等であっても、基礎知識のキャッチアップ意欲があれば対象） ・化合物半導体／高周波デバイス関連の実務経験をお持ちの方：GaN／GaAs／SiC等のデバイス開発、結晶成長、プロセス開発、高周波評価いずれかのご経験 ・研究経験をお持ちの方：化合物半導体・高周波デバイス・半導体物性に関する修士・博士論文テーマ、ポスドク経験