【新潟/長岡市】プロセスエンジニア(次世代半導体)※GaN・SiC基板/ワークライフバランス◎三桜工業株式会社
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募集
仕事内容
【東証プライム上場の独立系Tier1メーカー/自動車用配管部品で国内シェアNo.1/約20か国に製造拠点】 ■業務内容: 同社で研究中である次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)の生産技術職として下記業務をご担当いただきます。 ・基板加工プロセスの歩留まり・生産性改善 ・基板加工装置の改善・改造 など ■就業環境: ワークライフバランス◎ 平均残業時間20時間程度・年間休日121日 フレックスタイム制導入! ■教育体制: 製品や業務内容について研修を受けていただく予定となっております。(古河事業所にて3か月程度) ■次世代半導体について: GaN(ガリウムナイトライド)基板とSiC(炭化ケイ素)基板は、どちらも次世代の半導体材料として注目されています。これらの材料は、特に高効率・高性能な電子デバイスや電力デバイスにおいて非常に魅力的な特性を持っています。 ■同社の今後について: 同社の主な製品は自動車用配管ですが、自動車の電動化、クリーンエネルギー化など、業界の構造変革に備え、非自動車分野での新事業創出を目指して研究開発を推進しています。 具体的には、レーザー技術や全固体電池、熱電発電などの分野において、 世界各国の大学や研究機関と提携して次世代技術の研究を行っています。 本求人は、新事業創出活動の一つとして推進している次世代半導体基板の加工技術開発を担う人材の募集となります。裁量を持って自分のアイデアを提案できるやりがいのある業務です。 ■同社の強み: 生産・開発・品質・営業の各担当が連携し、常に革新的設備を生み出していることが、三桜製品の高い生産性・高品質・低コストを支えています。実際に同社の量産ラインの中で使用し、設備仕様及び使い方に実践的改良を常時加えていけることが大きな強みです。 変更の範囲:会社の定める業務
働き方
勤務地
<勤務地詳細> インキュベートセンターNARIC 住所:新潟県長岡市新産4丁目1番地10 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:会社の定める事業所
雇用形態
正社員
給与
<予定年収> 400万円〜550万円 <賃金形態> 月給制 <賃金内訳> 月額(基本給):235,000円〜323,000円 <月給> 235,000円〜323,000円 <昇給有無> 有 <残業手当> 有 <給与補足> ※経験・年齢・能力を考慮のうえ、当社給与規定により決定します。 ■昇給:年1回 ■賞与:年2回 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。
勤務時間
<労働時間区分> フレックスタイム制 コアタイム:10:00〜15:00 休憩時間:65分 時間外労働有無:有 <標準的な勤務時間帯> 8:00〜17:00
休日
完全週休2日制(休日は土日のみ) 年間有給休暇5日〜10日(下限日数は、入社直後の付与日数となります) 年間休日日数121日 年3回の大型連休(夏季・年末年始・GWで各9~11日程度)、慶弔休暇
特徴
待遇・福利厚生
通勤手当、家族手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、退職金制度 <各手当・制度補足> 通勤手当:全額支給(車通勤可) 家族手当:条件あり 社会保険:補足事項なし 退職金制度:補足事項なし <定年> 60歳 <教育制度・資格補助補足> OJTが中心です。 <その他補足> ・確定拠出年金 ・財形貯蓄 ・フレックス制度(古河事業所コアタイム:10:00~15:00) ・安心積立休暇制度 ・定期健康診断 ・社員専用託児所(所在地:古河市鴻巣) ・マイカー通勤OK(古河事業所 専用駐車場あり) ・各種研修、外部研修無料受講 ※条件あり
選考について
対象となる方
■必要経験: ・生産技術のご経験(プロセス改善、設備設計) ■歓迎条件: ・次世代半導体基板(GaN基板、SiC基板など)や化合物半導体基板の結晶加工、結晶評価、結晶成長に関する技術開発経験 ・英語力(TOEIC(R)テスト(R) 600点以上)
会社概要
会社名
三桜工業株式会社
所在地
東京都渋谷区渋谷3-6-6
事業内容
〜自動車用配管部品で国内シェアNo.1、世界22ヵ国、92ヵ所に拠点を展開するグローバルメーカー〜 同社は自動車部品の製造を鉄材と樹脂材で行う企業ですが、樹脂製品としては初めての非自動車分野となる、スーパーコンピューター富岳の冷却配管を受注しました。
従業員数
8,132名
資本金
3,481百万円
売上高
115,940百万円