【三重／四日市】酸化物半導体を用いた次世代メモリの研究開発◆プライム上場／国内大手半導体メーカーキオクシア株式会社

■業務内容： 新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発、製品化 ■業務詳細： 以下の業務に携わっていただきます。 ・酸化物半導体デバイスの開発 ・酸化物半導体デバイスを用いた新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発 1.デバイス特性の原理構築(物理の解明)： 酸化物半導体メモリの基本動作特性を物理層から解明し、メモリ素子としての動作を確立 2.酸化物半導体素子のモデル化と最適化： TCAD解析を用いた高度なシミュレーションと試作結果の突合による素子構造/プロセスの最適化 3.デザインルールの策定(設計ルール定義)： 将来の量産を見据え、安定的なデバイス構造の考案と設計ルールの定義 4.グローバルプレゼンスの確立： ISSCCやIEDMなどの国際学会を見据えた、世界最先端のテクニカルデータの創出 ■組織のミッション： 組織全体：新規デバイス、新規メモリ開発を進め、キオクシアの将来の事業の柱となるデバイスを研究開発していく組織です。 ■使用ツール： ・電気特性測定：DCテスター、メモリテスター ・物理・故障解析：発光解析装置 ・データ解析・可視化：統計的解析ツール(Spotfire) ・自動化・高度解析：Python ■ポジションの魅力： ・既存のSi（シリコン）上デバイスとは異なる領域で培った「新規デバイス開発能力」は、次世代の半導体業界において、ご自身の圧倒的な希少価値（自己実現）へと繋がります。 ・酸化物半導体を「メモリ素子」として成立させるための物理的基盤を、自らの手で築けます。 ・まだ誰も正解を知らない物理モデルを、自らの仮説と検証によって世界で初めて定義していくプロセスは、技術者として代えがたい経験となります。 ・データセンターの消費電力爆発が社会課題となる中、OCTRAMによる低消費電力化は、AI・ビッグデータ時代のインフラを支える解決策の一案となります。研究のための研究ではなく、数十年後の地球規模の課題解決に直結するデバイスを生み出すという、明確な社会的意義を感じながら開発に没頭できます。 ■キャリアパスイメージ： 酸化物半導体デバイス開発を通じて得られた知見をもとに、新規メモリ(低消費電力DRAM)の製品開発を行って頂き、製品開発のけん引をして頂く予定です。 変更の範囲：会社の定める業務

働き方

＜勤務地詳細＞ 四日市工場 住所：三重県四日市市山之一色町800番地 勤務地最寄駅：近鉄線／富田駅 受動喫煙対策：屋内全面禁煙 変更の範囲：補足欄に記載

正社員

＜予定年収＞ 550万円〜1,260万円 ＜賃金形態＞ 月給制 ＜賃金内訳＞ 月額（基本給）：333,000円〜800,000円 ＜月給＞ 333,000円〜800,000円 ＜昇給有無＞ 有 ＜残業手当＞ 有 ＜給与補足＞ ■昇給年1回、賞与年2回（7月、12月） 【年収例】 ・950万円／36歳（既婚・子2人／月給53万円＋各種手当＋賞与） ・680万円／28歳（独身／月給39万円＋各種手当＋賞与） ※各種手当には、住宅費補助、家賃補助、（次世代育成手当）、20時間/月相当の時間外勤務手当含む。 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。

＜労働時間区分＞ フレックスタイム制 コアタイム：13:30〜14:45 休憩時間：60分 時間外労働有無：有 ＜標準的な勤務時間帯＞ 8:30〜17:15

＜その他就業時間補足＞ ・平均残業時間：30時間/月

完全週休2日制（休日は土日祝日） 年間有給休暇5日〜18日（下限日数は、入社直後の付与日数となります） 年間休日日数125日 ＧＷ、夏季、年末年始、有給休暇、赴任休暇、介護休暇、妊娠保護休暇、看護等休暇等

通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度 ＜各手当・制度補足＞ 通勤手当：当社規定に従い支給 家族手当：次世代育成手当※詳細は福利厚生その他欄参照 住宅手当：規定により支給 寮社宅：独身寮、単身寮、家族社宅 社会保険：補足事項なし 厚生年金基金：補足事項なし 退職金制度：補足事項なし ＜定年＞ 65歳 ＜教育制度・資格補助補足＞ 人財育成はOJT（On the Job Training）を基本としながら、それを補完する各種教育プログラムで構成されています。 ＜その他補足＞ 【手当】 次世代育成手当（18歳未満の扶養対象児童一人あたり15,000円／月）、住宅費補助、在宅勤務手当 【その他】 在宅勤務制度、財形貯蓄制度、企業年金制度等 ※管理職採用の場合、フレックスタイム制、次世代育成手当、住宅費補助、時間外勤務手当は対象外

選考について

■必須条件：下記いずれか必須 ・酸化物半導体の知見 ・酸化物半導体を用いたデバイス開発の経験、知見 ・酸化物半導体を用いたメモリ開発の経験、知見 ■歓迎条件： ・語学力(英語もしくは中国語)をお持ちの方