【京都】デバイスの品質保証(評価・信頼性)次世代SiC・GaNパワー半導体|年休124日Anjet Research Lab株式会社
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募集
仕事内容
〜次世代SiC・GaNパワー半導体|研究開発から量産化に向けた品質基準の構築まで|転居費用負担制度あり〜 \次世代パワー半導体を研究から量産へ/ 当社は、電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させる次世代パワー半導体を開発する“ファブレス半導体企業”です。 現在は、これまで培ってきた技術を製品として世の中へ届けるため、研究開発フェーズから量産フェーズへ移行を進めています。 世界のエネルギー効率向上に貢献する技術を、一緒に形にしていただける方を募集します。 ▼職務内容 SiC/GaNパワーデバイスの信頼性評価・品質保証業務をご担当いただきます。 【具体的には】 ・各種信頼性試験(高温動作試験、温度サイクル試験、寿命試験等)の計画・実施 ・AEC-Q101、JEDEC等の規格に基づく評価・解析 ・故障解析(FA)および不良メカニズムの究明 ・評価データの分析および品質改善活動 ・ファウンドリーや外部機関との技術連携 ・品質レポート作成、顧客対応 ・量産立上げに向けた品質基準の構築・運用 ▼開発製品 Wide Band Gap Power Devices ・SiC ・GaN など 当社の技術は海外自動車メーカーのEVやEV充電設備にも採用されています。 今後はさらなる量産化とグローバル展開を進めていきます。 ▼教育体制 大手半導体メーカー出身のスペシャリストが多数在籍しています。 ・TI ・ON Semiconductor ・日立 ・三菱電機 ・ルネサス ・ローム 第一線で活躍してきた技術者と共に開発できます。 ▼その他 ・年間休日数:124日 ・専門業務型裁量労働制※労働基準監督署に届出済み ・従業員専用駐車場あり(会社負担) ・転居費用負担制度あり ・2026年内に京都リサーチパーク(京都市下京区中堂寺粟田町93)へ移転予定 ▼企業説明 SiC・GaNをはじめとする次世代パワー半導体の設計・開発を行うファブレス半導体メーカーです。 日本・台湾・米国のファウンドリーや研究機関と連携し、高性能・高信頼性なパワーデバイスの早期市場投入を目指しています。 変更の範囲:会社の定める業務
働き方
勤務地
<勤務地詳細1> 本社 住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203 受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり <勤務地詳細2> 京都リサーチパーク 住所:京都府京都市下京区中堂寺粟田町93 勤務地最寄駅:丹波口駅 受動喫煙対策:屋内全面禁煙 変更の範囲:会社の定める事業所
雇用形態
正社員
給与
<予定年収> 500万円〜1,000万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本給):5,000,000円〜10,000,000円 その他固定手当/月:5,000円 <月額> 421,666円〜838,333円(12分割) <昇給有無> 有 <残業手当> 無 <給与補足> ※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。 通信手当として一律\5,000 /月 を支給 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。
勤務時間
<労働時間区分> 専門業務型裁量労働制 みなし労働時間/日:8時間00分 休憩時間:60分 時間外労働有無:無 <標準的な勤務時間帯> 9:00〜18:00 <時短勤務> 相談可
実働標準労働時間
<その他就業時間補足> 平均残業時間:10時間
休日
完全週休2日制(休日は土日祝日) 年間有給休暇10日〜20日(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります) 年間休日日数124日 年末年始休暇 :6日 当社カレンダーによる 副業は会社規程あり
特徴
待遇・福利厚生
通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 <各手当・制度補足> 通勤手当:一律\12,000 *会社規程あり 社会保険:補足事項なし <定年> 65歳 <副業> 可 <教育制度・資格補助補足> なし <その他補足> ■転職に伴う引越し費用負担(規定あり) ■服装自由 ■ストックオプション(会社規程あり) ■従業員専用駐車場あり 【その他】 ・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み ・昇給については成果・実績に応じて配分あり
選考について
対象となる方
<業界未経験歓迎・業種未経験歓迎・第二新卒歓迎> ■必須条件: ・半導体デバイスの動作原理や電気特性に関する知識をお持ちの方 ※大学や大学院での研究経験をお持ちの方も歓迎します。 ※SiC・GaN・MOSFETなどの次世代パワー半導体に興味がある方を歓迎します。
会社概要
会社名
Anjet Research Lab株式会社
所在地
京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
事業内容
■事業内容: GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、 アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。
従業員数
8名
資本金
70百万円
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仕事内容
社員の平均年齢
【京都】デバイスの品質保証(評価・信頼性)次世代SiC・GaNパワー半導体|年休124日
Anjet Research Lab株式会社