【京都市/転勤無】ディスクリート半導体のプロセスエンジニア★業界先端の技術開発/グローバルに活躍!Anjet Research Lab株式会社
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募集
仕事内容
〜★スペシャリスト集団の中でスキルを磨いていきませんか?★/国内外工場のプロセス管理をお任せします!/転勤無/年休120日/業界先端のパワーデバイス開発を行うファブレスの設計企業/マイカー通勤可〜 ■採用背景: これまでR&Dとして、高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファウンドリメーカーと協業・推違している当社。資金調達および顧客開拓が順調に進み、量産に向けて始動しております。今回は、これまで種み上げてきた技術を商品化(量産化)していく為、新たな人財を採用します。 ■業務内容: 化合物半導体(SiC,GaN)を使用したパワー半導体の量産化にあたり、委託先の海外工場との連携を行って頂きます。委託先工場は複数あり、製造・テストもそれぞれ別の工場(工場間で製品は直送)になります。 担当領域は、プロセスインテグレーション(進捗管理)、工程管理、物流管理です。生産・在庫管理は別担当が行う為、工場へ製造・テストの指示や内容の確認がメインとなります。国内・海外チームメンバー間の業務連携が重要です。 ※ご入社後は、ご本人のキャリアを考慮し、担当できる業務からお任せしていきます。 ※海外出張があり、海外とのWEBミーティングは週5〜6回ございます。 【変更の範囲:会社の定める業務】 ■担当製品について: Wide Band Gap Power devices (SiC,GaN etc.) ■配属先情報: 大手半導体メーカーで20〜30年以上の経験を持つメンバーと仕事をすることができ、スキルを高めることができる環境が整っております。 ■成長計画: パワー半導体の開発に関する知識・経験のある人材を採用し、設計・開発力の強化、向上を図ります。また。高効率なエコデバイスの実現の為、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携を取り、高性能パワーデバイスの早期市場投入を目指しています。 ■当社について: ◇高性能パワーデバイスの設計・開発・試作を世界のファンダリーメーカーと協業し、推進しています。 ◇高効率なエコデバイスの実現の為、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入を目指しています。 ◇京都市/JETRO/中小機構の支援の下、開発を行っております。
働き方
勤務地
<勤務地詳細> 本社 住所:京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室 受動喫煙対策:敷地内喫煙可能場所あり
雇用形態
正社員
給与
<予定年収> 700万円〜1,100万円 <賃金形態> 年俸制 <賃金内訳> 年額(基本給):3,809,532円〜7,619,052円 固定残業手当/月:99,206円〜198,413円(固定残業時間20時間0分/月) 超過した時間外労働の残業手当は追加支給 <月額> 416,667円〜833,334円(12分割)(一律手当を含む) <昇給有無> 有 <残業手当> 有 <給与補足> ※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、当社規定により優遇いたします。 賃金はあくまでも目安の金額であり、選考を通じて上下する可能性があります。 月給(月額)は固定手当を含めた表記です。
勤務時間
<勤務時間> 9:00〜18:00 (所定労働時間:8時間0分) 休憩時間:60分 時間外労働有無:有
実働標準労働時間
<その他就業時間補足> ■残業:月平均20時間
休日
完全週休2日制(休日は土日祝日) 年間有給休暇10日〜20日(下限日数は、入社半年経過後の付与日数となります) 年間休日日数120日 年末年始休暇
特徴
完全週休2日制
年間休日120日以上
土日祝休み
転勤なし(勤務地限定)
第二新卒歓迎
女性活躍
固定給25万円以上
固定給35万円以上
待遇・福利厚生
通勤手当、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 <各手当・制度補足> 通勤手当:月上限2万円 社会保険:社会保険完備 <定年> 65歳 再雇用:上限70歳まで <教育制度・資格補助補足> ■OJT研修 <その他補足> ■転職に伴う引越し費用負担(規定あり) ■服装自由 ■ストックオプション ■従業員専用駐車場あり 【その他】 ・裁量労働制について労働基準監督署に届出済み ・昇給については成果/実績に応じて配分あり
応募条件
応募資格
■必須条件: ・半導体の製造ライン経験 ・海外ファンダリーとの折衝能力 ■歓迎条件: ・QC管理や物流経験
会社概要
会社名
Anjet Research Lab株式会社
所在地
京都府京都市西京区御陵大原1-39 京大桂ベンチャープラザ南館2203号室
事業内容
■事業内容: GaN、SiC、Siなどの材料を用いた新規パワー半導体デバイスの設計・開発を行っている同社。 日本、台湾、アメリカなどのファンダリーメーカーや各国のデザインエンジニアと連携し、 アプリケーションに最適な各種パワーデバイス(Si, SiC, GaN etc.)の設計を目指します。
従業員数
8名
資本金
70百万円
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